ذاكرة وصول عشوائي (RAM) من سامسونج، طراز MTA4ATF51264AZ-2G6E1، بسعة 4 جيجابايت. تعمل هذه الذاكرة بتقنية DDR4 وبسرعة 3200 ميجاهرتز. تم تصميمها للاستخدام في الأجهزة المكتبية، وتعمل بجهد منخفض يبلغ 1.2V مع زمن استجابة CL16.
+
احصل على نقاط ولاء مع هذا الشراء
المكافآترمز المنتج :
MTA4ATF51264AZ-
توصيل مجاني
لمشترياتك بقيمة 299 ريال
-
وسائل دفع متنوعة
اكثر من 4 وسائل دفع آمنة
-
دعم فني
من السبت حتى الخميس
62.10 ر.س
العدد المتبقي :
0
الوزن :
0.05 kgمنتجاتنا مضمونة 100%
